Национальное дело – это дело всего народа и дело каждого гражданина; это коренной интерес всего народа и гражданства, совесть каждого из нас...
Иван Дзюба, украинский литературовед, критик, общественный деятель, диссидент

Компания Samsung создала новый тип памяти

13 июля, 2011 - 11:03

Специалисты со всего мира продолжают искать альтернативу современной Flash-памяти. По прогнозу экспертов, при снижении технологической нормы производства чипов до размеров менее 30-нм, ячейки станут слишком маленькими, и Flash-память уже не сможет обеспечить большой запас циклов записи/чтения.

Технически, для преодоления этих проблем существуют другие форматы памяти, такие как Phase-Change RAM (PRAM), Ferroelectric RAM (FERAM), Magnetoresistive RAM (MRAM) или Resistance-change RAM (RRAM). Главные недостаток всех этих форматов заключается в том, что они пока все находятся в стадии разработки и не вышли на коммерческий рынок.

Недавно исследователи из компании Samsung Electronics и Университета Седжонг в Южной Кореи представили новый тип памяти RRAM, который обладает наилучшими характеристиками других форматов, а кроме того "почти готов" к коммерциализации, сообщают российские СМИ.

Новая система чипов базируется на таком нетипичном элементе для современной схемотехники, как оксид тантала. По своим свойствам и характеристикам оксид тантала близок, но не идентичен кремнию. Новые чипы имеют такую структуру, что оксид тантала, являющийся в обычном случае плохо проводимым материалом, становится материалом с низким сопротивлением. Добиться подобного трюка Samsung и корейским ученым удалось благодаря применению слоеной структуры чипа, когда сочетаются соединения Ta2O5 и TaO2, один из которых выступает в виде проводника, а второй - изолятора. Созданную систему разработчики называют MIMB или metal-insulator-base-metal.

Авторы новой технологии заявляют, что особенности проводимости оксидов тантала в современной науке пока недостаточно хорошо изучены, но, тем не менее, они работают. Одним из главных преимуществ нового материала исследователи называют возможность плотного размещения ячеек памяти. Также новые чипы позволяют производить достаточно быстрый доступ к данным, сохраняя их без доступа электричества. На практике это означает, что будущие танталовые RRAM-чипы можно будет использовать как для хранения, так и для оперативного доступа к данным.

Корейские специалисты уверяют, что ими уже разработаны прототипы новых устройств хранения, правда, они пока способны хранить всего 64 бита информации.

Источник: Укринформ

Читайте "День" в Facebook, Тwitter, дивіться на Youtube та підписуйтесь на канал сайту в Telegram!


НОВОСТИ ПАРТНЕРОВ