11 мая, 2012 - 10:18
Об этом сообщает научный журнал Nature (http://www.nature.com). Суть новации в том, что на силиконовой подложке накапливается нитрид кремния.
По сообщению ученых, это позволяет формировать на подложке наноразмерные каналы. Данную технологии можно применять в производстве элементов памяти, электронных схем и нанополупроводников. Nature называет эту технологию крупным достижением передовой науки.
Источник: Укринформ
Читайте "День" в Facebook, Тwitter, дивіться на Youtube та підписуйтесь на канал сайту в Telegram!



