Учені розробили енергонезалежну пам'ять

Американські вчені із Лос-Анджелеса провели низку досліджень, під час яких досягли значних поліпшень у використанні електричної напруги, а не електричного струму при створенні ультра-швидкої магніторезистивні пам'яті із високою пропускною здатністю із довільним доступом або скорочено MRAM. Про це повідомляють NovostiUA.net.

Нова технологія поєднує в собі низьку енергію з дуже високою щільністю, високою швидкістю читання і запису, а також при цьому є енергонезалежною - флеш-здатності зберігати дані при відсутності живлення. Вона має великий потенціал для майбутніх чіпів пам'яті в пристроях, таких як смартфони і ПК, а також для твердотільних накопичувачів даних.

Така технологія виключає необхідність переміщати великі кількості електронів дротами, що робить систему від 10 до 1000 разів більш енергоефективною. Крім того, щільність пам'яті майже в п'ять разів перевищує поточні можливості.

Технологія може також дозволити новим миттєвим електронним системам з інтегрованою пам'яттю збільшити потужність у режимі очікування і поліпшити функціональність.

Джерело: NovostiUA.net