Ученые разработали энергонезависимую память

Американские ученые из Лос-Анджелеса провели ряд исследований, в ходе которых добились значительных улучшений в использовании электрического напряжения, а не электрического тока при создании ультра-быстрой магниторезистивной памяти с высокой пропускной способностью с произвольным доступом или сокращенно MRAM. Об этом сообщают NovostiUA.net.

Новая технология сочетает в себе низкую энергию с очень высокой плотностью, высокой скоростью чтения и записи, а также при этом является энергонезависимой - флэш-способности сохранять данные при отсутствии питания. Она имеет большой потенциал для будущих чипов памяти в устройствах, таких как смартфоны и ПК, а также для твердотельных накопителей данных.

Такая технология исключает необходимость перемещать большие количества электронов по проводам, что делает систему от 10 до 1000 раз более энергоэффективной. Кроме того, плотность памяти почти в пять раз превышает текущие возможности.

Технология может также позволить новым мгновенным электронным системам с интегрированной памятью увеличить мощность в режиме ожидания и улучшить функциональность.

Источник: NovostiUA.net